半导体真空腔体的应用
中国半导体真空腔体市场近几年快速发展,越来越多的公司也表达了进入芯片领域的兴趣.以存储芯片为例,以前中国国内存储芯片完全靠进口,今年福建晋华集成电路的内存生产线有望投产,另外长江存储科技公司也在建设内存和闪存芯片生产线.格力、康佳等传统家电企业也表示,将进入芯片领域.
据国际半导体设备与材料协会报告显示,中国目前正在天津、西安、北京、上海等16个地区打造25个FAB建设项目,福建晋华集成电路、长江存储科技公司等企业技术水平虽不及韩国,但均已投入芯片量产.报告预测,今年中国半导体设备市场规模有望达118亿美元,实现同比43.9%的增长,并且明年市场规模有望扩大至173亿美元,增长46.6%,成为大市场.而同一时期内韩国的半导体设备市场规模从179.6亿美元减少至163亿美元,减幅为9.2%.中国超越韩国成为全球很大半导体设备市场.
真空腔体加工的注意事项
真空腔体是保持内部为真空状态的容器，真空腔体加工要考虑容积、材质和形状。
超高真空系统主要采用不锈钢材质。其中300系列不锈钢(表1)是含Cr10%～20%的低碳钢，具有优良的抗腐蚀性、无磁性、焊接性好、导电率、放气率低和导热率低、能够在-270～900℃工作等优点，在高真空和超高真空系统中，应用较广。
为了减小腔体内壁的表面积，通常用喷砂或电解抛光的方式来获得平坦的表面。超高真空系统的腔体，更多的是利用电解抛光来进行表面处理。
焊接是真空腔体制作中的环节之一。通常采用弧焊来完成焊接，可避免大气中熔化的金属和氧气发生化学反应而影响焊接质量，弧焊是指在焊接过程中向钨电极周围喷射保护气体气，以防止熔化后的高温金属发生氧化反应。
超高真空腔体的弧焊接，原则上必须采用内焊，即焊接面是在真空一侧，以免存在死角而发生虚漏。真空腔体不允许内外双重焊接和双重密封
个大气压在1cm2的面积上产生约1kgf的压力，对直径20cm的法兰来讲，就是1t的压力。圆筒或球形的腔体，由于构造的特殊性使得压力分散，腔体的壁厚2～4mm就不会变形。
但是，对于方形腔体，侧面的平板上要承受上吨的压力，必须通过增加壁厚或设置加强筋，才能防止变形。
影响真空绝缘水平的主要因素
电极的几许形状
电极的几许形状对电场的分布有很大的影响，往往因为几许形状不行恰当，引起电场在部分过于集中而导致击穿，这一点在高电压的真空产品中特别杰出。
电极边际的曲率半径大小是重要因素。一般来说，曲率半径大的电极接受击穿电压的能力比曲率半径小的大。
此外，击穿电压还和电极面积的大小成反比，即跟着电极面积的增大而有所下降。面积增大导致耐压下降的原因主要是放电概率添加。
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